Компьютерное моделирование сенситометрических характеристик формирователей сигналов изображения на основе гетероперехода CdS-Cu2S (WinWord & CorelDraw) [Диплом]

запомнить в избранное

ВНИМАНИЕ !!! Это сокращенная версия файла. Предназначена она только для того, чтобы вы могли предварительно ознакомиться с документом, перед тем как его скачать. Здесь нет картинок, не сохранен формат, шрифт, размеры и положение на странице.
Чтобы скачать полную версию, нажмите ссылки которые находятся чуть-чуть ниже (Info File Mail)

Info File Mail
Файл относится к разделу:
ФИЗИКА

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ
ОДЕССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
им. И.И. МЕЧНИКОВА
Кафедра экспериментальной физики
КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СЕНСИТОМЕТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОРМИРОВАТЕЛЕЙ СИГНАЛОВ ИЗОБРАЖЕНИЯ
НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОПЕРЕХОДА CdS-Cu2S.
Допущен к защите
Заведующий кафедрой экспериментальной физики,
академик _Смынтына В.А.
(подпись)
"_" _ 2000 г.
Дипломная работа
студента 5-го курса
физического факультета
Барды Алексея Валерьевича
Научные руководители -
канд. ф-м. наук,
доцент Виктор П.А.
ст.н.с. Борщак В.А.
О Д Е С С А - 2000 г.
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ. 3
ГЛАВА I. ГЕТЕРОПЕРЕХОД CdS-Cu2S, ЕГО СВОЙСТВА И ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ. 5
§ 1. Общие свойства гетеропереходов. 5
§ 2. Модели токопереноса в гетеропереходе CdS - Cu2S. 9
§ 3. Фотоэлектрические свойства гетероперехода CdS-Cu2S. 12
§ 4. Механизмы выброса захваченного заряда в ОПЗ гетероперехода CdS-Cu2S. 15
§ 5. Технология изготовления гетеропары CdS-Cu2S. 19
ГЛАВА II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ СЕНСИТОМЕТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ГЕТЕРОПЕРЕХОДА CdS-Cu2S И ИХ КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ. 25
§ 6. Общие понятия о сенситометрии. 25
§ 7. Описание экспериментальной установки. 27
§ 8. Исследование сенситометрических характеристик преобразователя изображения на основе гетероперехода CdS-Cu2S. 29
§ 9. Моделирование и компьютерный расчет характеристических кривых. 33
ВЫВОДЫ 37
ЛИТЕРАТУРА. 38
ВВЕДЕНИЕ.
Исследование гетеропереходов представляет собой важный раздел физики полупроводниковых приборов, который сформировался в последние четыре десятилетия на основе изучения эпитаксиального выращивания полупроводников.
Барьеры на диаграмме энергетических зон, связанные с различием в ширине запрещенной зоны двух полупроводников открывают новые возможности для конструкторов.
Гетеропереходы используются в лазерах, вычислительной технике, интегральных схемах. Электрооптические свойства гетеропереходов нашли практическое применение в фототранзисторах и в солнечных элементах.
Однако в этой области имеется еще много нер

• подписаться на рассылку.
• добавить в избранное.
• нашли ошибки ?

Это место

Ищу реферат (диплом) Если вы не можете найти реферат, то дайте в этом разделе объявление и возможно вам помогут :)
Предлагаю реферат (диплом) Если у вас есть свои рефераты и вы готовы помочь другим, то дайте в этом разделе свое объявление и к вам потянуться люди :)
Пополнить коллекцию Здесь вы можете пополнить нашу коллекцию своими рефератами.