Кремний, полученный с использованием "геттерирования" расплава (WinWord)

---

запомнить в избранное   искать в этом разделе

---

ВНИМАНИЕ !!! Это сокращенная версия файла. Предназначена она только для того, чтобы вы могли предварительно ознакомиться с документом, перед тем как его скачать. Здесь нет картинок, не сохранен формат, шрифт, размеры и положение на странице.
Чтобы скачать полную версию, нажмите ссылки которые находятся чуть-чуть ниже (Info File Mail)

---

Info File Mail

Файл относится к разделу:
ТЕХHОЛОГИЯ

---

Кремний, полученный с использованием" геттерирования расплава .
В бездефектной технологии изготовления ИС для уменьшения влияния термодефектов используются методы пассивного геттерирования примесей в пластинах. К таким методам относятся "внешнее геттсрирование" - нанесение внешних покрытий (поликремния, Si-,N^, переходных металлов) или механических повреждений на нерабочую сторону кремниевой пластины и "внутреннее геттерирование" - намеренное обеспечение путем термообработок выделений второй фазы Si0,, на которых адсорбируются микродефекты, примеси тяжелых и щелочных металлов. Однако в результате таких воздействий на пластины ухудшаются механические свойства, что особенно заметно на подложках диаметром 100 и более миллиметров.
Процесс образования геттерирующей зоны происходит в несколько стадий, при этом самая высокая температура термообработки (ТО) не превышает lOOO^C, в то время как многоступенчатая технология изготовления ИС включает более высокотемпературные операции, например диффузию, эпитаксию. Известно, что при температурах выше 1000°С кислород из выделений вновь переходит в состояние твердого раствора, и при последующих термоциклах (430-500 и 600-800^0 опять появляются доноры, разрушаются комплексы примесей и микродефектов, что, в свою очередь, приводит к нарушению термостабильности, снижению выхода годных, увеличению отказов.
Активное воздействие на дефекты и примеси предполагает легирование монокристаллов в процессе их выращивания добавками, оказывающими влияние на свойства, состав расплава и твердого тела. При этом легирующий компонент должен удовлетворять следующим требованиям:
- коэффициент распределения, значительно отличающийся от единицы;
- эффективное изменение коэффициента распределения удаляемых примесей;
- отсутствие вредного влияния атомов "геттера" на свойства полупроводника.
Использование в качестве геттера водорода, предложенное Декоком, не нашло применения в промышленности, так как водород в процессе отжига удаляется из кристалла, вновь ос

• подписаться на рассылку. • добавить в избранное. • нашли ошибки ?

Это место