Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок (WinWord) [Курсовая]

запомнить в избранное

ВНИМАНИЕ !!! Это сокращенная версия файла. Предназначена она только для того, чтобы вы могли предварительно ознакомиться с документом, перед тем как его скачать. Здесь нет картинок, не сохранен формат, шрифт, размеры и положение на странице.
Чтобы скачать полную версию, нажмите ссылки которые находятся чуть-чуть ниже (Info File Mail)

Info File Mail
Файл относится к разделу:
МАТЕРИАЛОВЕДЕHИЕ

Московский Государственный
Технический Университет им. Н. Э. Баумана
Калужский филиал
КАФЕДРА МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ И МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
Курсовая работа
по курсу:" Технология материалов электронной техники"
ТЕМА: " Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок."
Выполнил: Тимофеев А. Ю.
Группа: ФТМ-71
Проверил: Кунакин Ю. И.
г. Калуга
1996 год
Содержание
Введение. 3
Электрофизические свойства объемного арсенида индия. 3
* Зонная структура арсенида индия. 3
* Оптические свойства арсенида индия. 4
* Подвижность в арсениде индия. 5
Методы глубокой очистки индия и мышьяка. 6
* Методы глубокой очистки индия. 6
* Методы получения мышьяка и его соединений высокой
степени чистоты. 7
Эпитаксиальное наращивание арсенида индия
из газовой фазы. 7
* Система In-AsCl3-H2 . 8
* Система In-HCl-AsH3-H2. 9
* Система InAs-SiCl4-H2. 10
* Пиролиз МОС. 11
Жидкофазная эпитаксия арсенида индия. 12
Молекулярно лучевая эпитаксия арсенида индия. 13
Заключение. 14
Список использованной литературы. 16
Введение.
Эпитаксиальный арсенид индия - перспективный материал электронной техники. Высокая подвижность электронов в арсениде индия прямозонная структура позволяют использовать его для изготовления высокоэффективных электронных и оптоэлектронных приборов, в частности быстродействующих транзисторов и интегральных схем, фотоприемных детекторов ИК - диапазона, инжекционных лазеров с длиной волны "3,5 мкм.
Однако широкое использование тонкопленочных структур арсенида индия сдерживается отсутствием полуизолирующих подложек в связи с малой шириной запрещенной зоны арсенида индия. Следует также отметить недостаточную механическую прочность материала. Указанные проблемы могут быть преодолены, по крайней мере частично, при гетероэпитаксиальном выращивании арсенида индия. В этом случае, как правило, эпитаксию проводят на подложках арсенида галлия с ориентацией поверхн

• подписаться на рассылку.
• добавить в избранное.
• нашли ошибки ?

Это место

Ищу реферат (диплом) Если вы не можете найти реферат, то дайте в этом разделе объявление и возможно вам помогут :)
Предлагаю реферат (диплом) Если у вас есть свои рефераты и вы готовы помочь другим, то дайте в этом разделе свое объявление и к вам потянуться люди :)
Пополнить коллекцию Здесь вы можете пополнить нашу коллекцию своими рефератами.