Жидкостное химическое травление (WinWord&CorelDraw)

---

запомнить в избранное   искать в этом разделе

---

ВНИМАНИЕ !!! Это сокращенная версия файла. Предназначена она только для того, чтобы вы могли предварительно ознакомиться с документом, перед тем как его скачать. Здесь нет картинок, не сохранен формат, шрифт, размеры и положение на странице.
Чтобы скачать полную версию, нажмите ссылки которые находятся чуть-чуть ниже (Info File Mail)

---

Info File Mail

Файл относится к разделу:
МАТЕРИАЛОВЕДЕHИЕ

---

Калужский Филиал
Московского Государственного
Технического Университета
им. Н. Э. Баумана
Отчет по технологической практике
на тему:
" Жидкостное химическое травление "
студент: Тимофеев А. Ю.
руководитель: Парамонов В. В.
1996 г.
г. Калуга.
Содержание.
стр.
1. Введение. 3
1.1. Термодинамика травления. 5
1.2. Общие принципы кинетики травления. 8
1.3. Феноменологический механизм травления. 9
2. Жидкостное травление. 11
2.1. Травление SiO2. 11
2.2. Травление кремния. 14
2.3. Травление многослойных структур. 19
2.4. Травление алюминия. 20
2.5. Травители для алюминия. 21
2.6. Электрохимическое травление. 23
3. Практические аспекты жидкостного химического 23
травления.
3.1. Другие характеристики травления. 24
4. Заключение. 25
5. Список литературы. 26
Введение.
Травление используется для селективной (химической) прорисовки диффузионных масок, формирования изолирующих или проводящих областей, в процессе которого вещество в области, подвергаемой травлению, химически преобразуется в растворимое или летучее соединение. В литографии травление применяется в основном для формирования диффузионных масок в слое термически окисленного кремния или для удаления материала через окна в диэлектрике при изготовлении металлических контактов. Металлическая разводка формируется путем селективного удаления промежутков (обращения изображения); фотошаблоны также изготавливаются травлением металлических пленок. Задача инженера-технолога состоит в том, чтобы обеспечить перенос изображения с резистной маски в подложку с минимальным отклонением размера (Е) и допуском (Т(см. рис. 1. Из рисунка видно, что суммарное изменение размера при литографии Е обусловлено искажением изображения в резистной маске (0.1 мкм), уходом размера в резисте (0.5 мкм) и уходом окончательного размера в процессе травления (1.0 мкм с допуском в (1.0 мкм.
Рис. 1. Изменение размеров при переносе изображения
из резиста в подложку с помощь

• подписаться на рассылку. • добавить в избранное. • нашли ошибки ?

Это место