Электронные и микроэлектронные приборы (WinWord)

---

запомнить в избранное   искать в этом разделе

---

ВНИМАНИЕ !!! Это сокращенная версия файла. Предназначена она только для того, чтобы вы могли предварительно ознакомиться с документом, перед тем как его скачать. Здесь нет картинок, не сохранен формат, шрифт, размеры и положение на странице.
Чтобы скачать полную версию, нажмите ссылки которые находятся чуть-чуть ниже (Info File Mail)

---

Info File Mail

Файл относится к разделу:
РАДИОЭЛЕКТРОHИКА, КОМПЬЮТЕРЫ И ПЕРИФЕРИЙHЫЕ УСТРОЙСТВА

---

Государственный комитет Российской Федерации
по высшему образованию
Московский государственный открытый университет
Реферат
Электронные и микроэлектронные приборы
Студента 2 курса заочного отделения ФАРЭ
1998г.
Задание.
1. Изложить процессы окисления кремния в порах воды и в сухом кислороде.
2. Какие существуют типы резисторов полупроводниковых ИС? Дать их сравнительную характеристику.
3. Нарисовать принципиальную схему элемента КМОП-логики. Пояснить принцип действия и область применения. Опешите принцип действия и устройство тетрода. В чем назначение второй сетки тетрода? Виды тетродов.
1. Процессы окисления кремния в парах воды и в сухом кислороде
Благодаря своим уникальным электрофизическим свойствам двуокись кремния находит широкое применение на различных стадиях изготовления СБИС. Слои SiO2 используется как:
1. маска для диффузии легирующих примесей
2. для пассивации поверхности полупроводников
3. для изоляции отдельных элементов СБИС друг от друга
4. в качестве подзатворного диэлектрика
5. в качестве одного из многослойных диэлектриков в производстве КМОП элементов памяти
6. в качестве изоляции в схемах с многослойной металлизацией
7. как составная часть шаблона для рентгеновской литографии
Среди преимуществ, обуславливающих использование этого диэлектрика, следует выделить то, что SiO2 является "родным" материалом для кремния, легко из него получается путем окисления, не растворяется в воде, легко воспроизводится и контролируется.
Термическое окисление кремния
Слой двуокиси кремния формируется обычно на кремниевой пластине за счет химического взаимодействия в приповерхностной области полупроводника атомов кремния и кислорода. Кислород содержится в окислительной среде, с которой контактирует поверхность кремниевой подложки, нагретой в печи до температуры T = 900 - 1200 С. Окислительной средой может быть сухой или влажный кислород. Схематично
вид установки показан на рис. 1.
?en. 1.
Химическая реакция, идущая на поверхности кремниевой пласт

• подписаться на рассылку. • добавить в избранное. • нашли ошибки ?

Это место