Принцип действия полевого транзистора

---

запомнить в избранное   искать в этом разделе

---

ВНИМАНИЕ !!! Это сокращенная версия файла. Предназначена она только для того, чтобы вы могли предварительно ознакомиться с документом, перед тем как его скачать. Здесь нет картинок, не сохранен формат, шрифт, размеры и положение на странице.
Чтобы скачать полную версию, нажмите ссылки которые находятся чуть-чуть ниже (Info File Mail)

---

Info File Mail

Файл относится к разделу:
РАДИОЭЛЕКТРОHИКА, КОМПЬЮТЕРЫ И ПЕРИФЕРИЙHЫЕ УСТРОЙСТВА

---

В последние годы большое место в электронике заняли приборы,
использующие явления в приповерхностном слое полупроводника. Основным
элементом таких приборов является структура
Металл-Диэллектрик-Полупроводник /МДП/. В качестве диэллектрической
прослойки между металлом и полупроводником часто используют слой
оксида, например диоксид кремния. Такие структуры носят название
МОП-структур. Металлический электрод обычно наносят на диэллектрик
вакуумным распылением. Этот электрод называется затвором.
Если на затвор подать некоторое напряжение смещения относительно
полупроводника , то у поверхности полупроводника возникает область
объемного заряда, знак которой противоположен знаку заряда на затворе.
В этой области концентрация носителей тока может существенно
отличаться от их объемной концентрации.
Заряжение приповерхностной области полупроводника приводит к
появлению разности потенциалов между нею и объемом полупроводника и,
следовательно, к искривлению энергетических зон. При отрицательном
заряде на затворе, энергетические зоны изгибаются вверх, так как при
перемещении электрона из объема на поверхность его энергия
увеличивается. Если затвор заряжен положительно то зоны изгибаются
вниз.
Hа рисунке 1 показана зонная структура n-полупроводника при отрицательном заряде на
затворе и приведены обозначения основных величин, характеризующих поверхность; -разность потенциалов между поверхностью и объемом полупроводника; -изгиб зон у поверхности; -середина запрещенной зоны. Из
рисунка 2 видно, что в объеме
полупроводника расстояние от
дна зоны проводимости до уровня Ферми меньше расстояния от
уровня Ферми до потолка валентной зоны. Поэтому равновесная концентрация электронов
больше концентрации дырок: как
и должно быть у n-полупроводников. В поверхностном слое
объемного заряда происходит
искревление зон и расстояния
от дна зоны проводимости до
уровня Ферми по мере перемещения к поверхности непрерывно
увеличивается, а расстояние до
уровня Ферми до потолка валентной зоны непрер

• подписаться на рассылку. • добавить в избранное. • нашли ошибки ?

Это место