Фоторезисторы (WinWord) [Курсовая]

---

запомнить в избранное   искать в этом разделе

---

ВНИМАНИЕ !!! Это сокращенная версия файла. Предназначена она только для того, чтобы вы могли предварительно ознакомиться с документом, перед тем как его скачать. Здесь нет картинок, не сохранен формат, шрифт, размеры и положение на странице.
Чтобы скачать полную версию, нажмите ссылки которые находятся чуть-чуть ниже (Info File Mail)

---

Info File Mail

Файл относится к разделу:
РАДИОЭЛЕКТРОHИКА, КОМПЬЮТЕРЫ И ПЕРИФЕРИЙHЫЕ УСТРОЙСТВА

---

Введение
Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках
В современной электронной технике широко используются полупроводниковые приборы, основанные на принципах фотоэлектрического и электрооптического преобразования сигналов. Первый из этих принципов обусловлен изменением электрофизических свойств вещества в результате поглощения в нем световой энергии (квантов света. При этом изменяется проводимость вещества или возникает э. д. с., что приводит к изменениям тока в цепи, в которую включен фоточувствительный элемент. Второй принцип связан с генерацией излучения в веществе, обусловленной приложенным к нему напряжением и протекающим через светоизлучающий элемент током. Указанные принципы составляют научную основу оптоэлектроники - нового научно-технического направления, в котором для передачи, обработки и хранения информации используются как электрические, так и оптические средства и методы.
Все многообразие оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках можно свести к следующим основным:
- поглощение света и фотопроводимость;
- фотоэффект в p-n переходе;
- электролюминесценция;
- стимулированное когерентное излучение.
Фотопроводимость. Фоторезистивный эффект
Явлением фотопроводимости называется увеличение электропроводности полупроводника под воздействием электромагнитного излучения.
При освещении полупроводника в нем происходит генерация электронно-дырочных пар за счет переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости. Вследствие этого проводимость полупроводника возрастает на величину
= e (n (ni (p (pi), (1)
где e - заряд электрона; (n - подвижность электронов; (p - подвижность дырок; (ni - концентрация генерируемых электронов; (pi - концентрация генерируемых дырок.
Поскольку основным следствием поглощения энергии света в полупроводнике является перевод электронов из валентной зоны в зону проводимости, т.е. междузонный переход, то энергия кванта света фотона должна удовлетворять условию
h(кр (W, (2)
где h - постоянная Планка; (W - ширина

• подписаться на рассылку. • добавить в избранное. • нашли ошибки ?

Это место