Моделирование распределения потенциала в МДП-структуре (WinWord) [Курсовая]

---

запомнить в избранное   искать в этом разделе

---

ВНИМАНИЕ !!! Это сокращенная версия файла. Предназначена она только для того, чтобы вы могли предварительно ознакомиться с документом, перед тем как его скачать. Здесь нет картинок, не сохранен формат, шрифт, размеры и положение на странице.
Чтобы скачать полную версию, нажмите ссылки которые находятся чуть-чуть ниже (Info File Mail)

---

Info File Mail

Файл относится к разделу:
РАДИОЭЛЕКТРОHИКА, КОМПЬЮТЕРЫ И ПЕРИФЕРИЙHЫЕ УСТРОЙСТВА

---

Министерство общего и профессионального образования РФ
Воронежский государственный университет
факультет ПММ
кафедра Дифференциальных уравнении
Курсовая работа
"Моделирование распределения потенциала
в МДП-структуре"
Исполнитель : студент 4 курса 5 группы
Никулин Л.А.
Руководитель : старший преподаватель
Рыжков А.В.
Воронеж 1998г.
ОГЛАВЛЕНИЕ
МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА В МДП-СТРУКТУРЕ
Математическая модель - 3
ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ К
РЕШЕНИЮ ЗАДАЧИ
Использование разностных схем для решения
уравнения Пуассона и для граничных условий
раздела сред
Уравнение Пуассона - 5
Граничные условия раздела сред - 8
Общий алгоритм численого решения задачи
Метод установления - 10
Метод переменных направлений - 13
Построение разностных схем - 16
ПРИЛОЖЕНИЕ -
ЛИТЕРАТУРА -
Математическая модель распределения потенциала в МДП-структуре
Математическая модель
Пусть(x,y- функция, описывающая распределение потенциала в полупроводниковой структуре. В области оксла (СDEF) она удовлетворяет уравнению Лапласа:
d2?d2?
dx2 dy2
а в области полупроводника (прямоугольник ABGH- уравнению Пуассона:
d2? d2?
dx2 dy2
где
q - элементарный заряд e;
?nn -диэлектрическая проницаемость кремния;
Nd(x,y-распределение концентрации донорской примеси в подложке ;
Na(x,y-распределение концентрации акцепторной примеси в подложке;
-диэлектрическая постоянная
0 D E
y
B G
C F
A H
x
На контактах прибора задано условие Дирихле:
| BC = Uu
| DE = Uз
| FG = Uc
| AH = Un
На боковых сторонах полупроводниковой структуры требуется выполнение
однородного условия Неймана вытекающее из симметричности структуры
относительно линий лежащих на отрезках AB и GH:
d? d?
dy AB dy GH
На боковых сторонах окисла так же задается однородное условие Неймана
означающее что в направлении оси OY отсутствует течение электрического
тока:
d? d?
dy DC dy EF
На границе раздела структуры окисел- полупроводник ставится условие
сопряжения :
-0 +0
?ok Ex -0 ?nn Ex +0 - Qss
где Qss -плотность поверхностного за

• подписаться на рассылку. • добавить в избранное. • нашли ошибки ?

Это место