Групповой канальный интерфейс (WinWord 97,ElectionicsWorkbench 4.0) [Диплом]

---

запомнить в избранное   искать в этом разделе

---

ВНИМАНИЕ !!! Это сокращенная версия файла. Предназначена она только для того, чтобы вы могли предварительно ознакомиться с документом, перед тем как его скачать. Здесь нет картинок, не сохранен формат, шрифт, размеры и положение на странице.
Чтобы скачать полную версию, нажмите ссылки которые находятся чуть-чуть ниже (Info File Mail)

---

Info File Mail

Файл относится к разделу:
РАДИОЭЛЕКТРОHИКА, КОМПЬЮТЕРЫ И ПЕРИФЕРИЙHЫЕ УСТРОЙСТВА

---

ВЫБОР СХЕМО-ТЕХНОЛОГИИ
ПРОЕКТИРУЕМОЙ БИС
4.1. КРАТКИЙ ОБЗОР СУЩЕСТВУЮЩИХ СХЕМО-ТЕХНОЛОГИЙ ПРИМЕНЯЕМЫХ В
ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ
Рассмотрим наиболее распространенные схемотехнологии применяемые в интегральных схемах:
1. Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ.
2. Эмиттерно-связанная логика (ЭСЛ.
3. Логика, построенная на основе структуры метал-диэлетрик-полупроводник с п-каналом (пМДП.
4. Логика, построенная на основе структуры метал-диэлетрик-полупроводник с транзисторами разной проводимости (КМДП.
4.1.1. ТЕХНОЛОГИЯ ТТЛ.
Технология ТТЛ основана на биполярных структурах. Базовый элемент ТТЛ представляет собой схему, содержащую один многоэмиттерный транзистор и один обычный (см. рис. 4.1), это логическая схема И-НЕ (функцию И выполняет транзистор VT1, а функцию инверсии выполняет транзистор VT2.
Рис. 4.1. Базовый элемент ТТЛ.
Подобная схема обладает низкой помехоустойчивостью и низким быстродействием, быстродействие можно увеличить, используя сложный инвертор, который позволяет сократить время включения (переход из логического "0" в логическую "1"); но время выключения (переход из логической "1" в логический "0") сократить, не удается.
Более высокое быстродействие позволяют получить схемы субсемейства ТТЛШ (транзисторно-транзисторная логика с использованием транзисторов с барьером Шотки; см. рисунок 4.2. В таких схемах барьер Шотки создает нелинейную обратную связь в транзисторе, в результате транзисторы не входят в режим насыщения, хотя и близки к этому режиму. Следовательно, практически исключается время рассасывания, что позволяет существенно увеличить быстродействие.
Рис. 4.2. Транзистор Шотки.
4.1.2. ТЕХНОЛОГИЯ ЭСЛ.
Технология ЭСЛ является так же, как и технология ТТЛ, биполярной, т.е. элементы строятся с использованием биполярных структур. Основой элементов ЭСЛ является так называемый "переключатель тока", на основе которого строится базовый элемент этой технологии - ИЛИ-НЕ (см. рис. 4.3); по выходу1 данной схемы реализуется логическая функция ИЛИ-НЕ, а по выходу

• подписаться на рассылку. • добавить в избранное. • нашли ошибки ?

Это место