Групповой канальный интерфейс (WinWord 97,ElectionicsWorkbench 4.0) [Диплом]

---

запомнить в избранное   искать в этом разделе

---

ВНИМАНИЕ !!! Это сокращенная версия файла. Предназначена она только для того, чтобы вы могли предварительно ознакомиться с документом, перед тем как его скачать. Здесь нет картинок, не сохранен формат, шрифт, размеры и положение на странице.
Чтобы скачать полную версию, нажмите ссылки которые находятся чуть-чуть ниже (Info File Mail)

---

Info File Mail

Файл относится к разделу:
РАДИОЭЛЕКТРОHИКА, КОМПЬЮТЕРЫ И ПЕРИФЕРИЙHЫЕ УСТРОЙСТВА

---

КОНСТРУКТИВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ
ПРОЕКТИРУЕМОГО УСТРОЙСТВА
7.1. ВВЕДЕНИЕ
В настоящее время существует несколько стандартных технологий производства кристалла с линиями рисунка от 0,25 до 3,0 мкм. Но в связи с тем, что в нашей стране технологии 0,25 и 0,35 мкм еще не отработаны, то приходится разрабатывать устройства с учетом имеющихся технологий, т.е. приходится прибегать к схемотехническим изощрениям для получения конкурентоспособной интегральной схемы. В результате была выбрана технология изготовления кристалла с минимальной шириной рисунка 1,2 мкм, как наиболее отработанная и наиболее экономически выгодная. При появлении в нашей стране более современных технологий на одном кристалле при тех же размерах можно будет разместить коммутатор на большее количество каналов.
7.1.1. ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
КРИСТАЛЛА
Рассмотрим основные характеристики проектируемой БИС, в основном, определяемые технологией производства:
* Напряжение питания - 5 В;
* Ток потребления - не более 1 мА;
* Диапазон рабочих температур - от -20 до +60 0С;
* Технология производства - стандартная, 1,2 мкм;
* Предполагаемый тип корпуса - 2123.40-1, стандартный, с количеством выводов - 40.
7.1.2. НАЗНАЧЕНИЕ ВЫДОВ МИКРОСХЕМЫ
Предварительно принятое назначение выводов микросхемы
Выводы
Назначение
1 - 8
9 - 16
17,18
19 - 22
23 - 26
27 - 30
31
32
33
34
35
Групповые входы
Групповые выходы
Питание и "земля"
Шина обмена информацией между кристаллами по горизонтали
Шина обмена информацией между кристаллами по вертикали
Адресные выводы кристалла
Ввод команды
Вывод результатов
Выбор кристалла
Ввод тактовой частоты
Ввод синхроимпульсов
Таблица 7.1
7.2. ЭЛЕМЕНТЫ ТОПОЛОГИИ
7.2.1. КОНСТРУКТИВНО - ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОГРАНИЧЕНИЯ
В данном разделе приведены основные конструкторско-технологические ограничения на проектирование микросхемы, определяемые заводом изготовителем в соответствии с применяемой технологией.
Конструкторско-технологические ограничения предназначены для проектирования топологии цифровых КМДП Б

• подписаться на рассылку. • добавить в избранное. • нашли ошибки ?

Это место