Фоторезисторы (WinWord)

---

запомнить в избранное   искать в этом разделе

---

ВНИМАНИЕ !!! Это сокращенная версия файла. Предназначена она только для того, чтобы вы могли предварительно ознакомиться с документом, перед тем как его скачать. Здесь нет картинок, не сохранен формат, шрифт, размеры и положение на странице.
Чтобы скачать полную версию, нажмите ссылки которые находятся чуть-чуть ниже (Info File Mail)

---

Info File Mail

Файл относится к разделу:
РАДИОЭЛЕКТРОHИКА, КОМПЬЮТЕРЫ И ПЕРИФЕРИЙHЫЕ УСТРОЙСТВА

---

ФОТОРЕЗИСТОР (от фото. и резистор), представляет собой непроволочный полупроводниковый резистор , омическое сопротивление которого определяется степенью освещенности . В основе принципа действия фоторезисторов лежит явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость- увеличение электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина фотопроводимости - увеличение концентрации носителей заряда - электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Светочувствительный слой полупроводникового материала в таких сопротивлениях помещен между двумя токопроводящими электродами. Под воздействием светового потока электрическое сопротивление слоя меняется в несколько раз ( у некоторых типов фотосопротивлений оно уменьшается на два- три порядка . В зависимости от применяемого слоя полупроводникового материала фотосопротивления подразделяются на сернистосвинцовые, сернистокадмиевые, сернисто-висмутовые и поликристаллические селено- кадмиевые. Фотосопротивления обладают высокой чувствительностью , стабильностью , экономичны и надежны в эксплуатации. В целом ряде случаев они с успехом заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы.
Основные характеристики фотосопротивлений.
1. Рабочая площадь.
1. Темновое сопротивление (сопротивление в полной темноте), варьирует в обычных приборах от 1000 до 100000000 ом.
2. Удельная чувствительность
где:
-фототок, равный разности токов в темноте и на свету;
Ф - световой поток;
U - приложенное напряжение.
4. Предельное рабочее напряжение ( как правило от 1 до 1000 в .
5. Среднее относительное изменение сопротивления, % -
обычно лежит в пределах 10 - 99,9 %,
, где :
-сопротивление в темноте;
-сопротивление в освещенном состоянии.
6. Средняя кратность изменения сопротивления ( как правило от 1 до 1000 . Определяется соотношением :
Применение: устройства воспроизведения звука, системы слежения, различные устройства автоматики.
Схема включения фоторезисторов:
При определенном освещении сопротивление фотоэлемента у

• подписаться на рассылку. • добавить в избранное. • нашли ошибки ?

Это место