Дифференциальный усилитель (WinWord) [Курсовая]

---

запомнить в избранное   искать в этом разделе

---

ВНИМАНИЕ !!! Это сокращенная версия файла. Предназначена она только для того, чтобы вы могли предварительно ознакомиться с документом, перед тем как его скачать. Здесь нет картинок, не сохранен формат, шрифт, размеры и положение на странице.
Чтобы скачать полную версию, нажмите ссылки которые находятся чуть-чуть ниже (Info File Mail)

---

Info File Mail

Файл относится к разделу:
РАДИОЭЛЕКТРОHИКА, КОМПЬЮТЕРЫ И ПЕРИФЕРИЙHЫЕ УСТРОЙСТВА

---

Московский Государственный Авиационный Институт
(Технический Университет)
Пояснительная записка
к курсовому проекту по курсу
"Технология аппаратуры САУ".
Дифференциальный усилитель.
Выполнил студент
группы
Консультант: / /
Принял преподаватель: / /
Москва, 1995 год.
Содержание:
1. Техническое задание.3
2. Анализ технического задания.6
3. Выбор материалов, расчет элементов.6
4. Выбор подложки.8
5. Технологический маршрут.8
6. Выбор корпуса ГИС.8
7. Оценка надежности.9
8. Список литературы.11
Задание
на разработку гибридной интегральной микросхемы (ГИС) частного применения.
Дифференциальный усилитель.
Дифференциальный усилитель предназначен для усиления сигналов постоянного тока или в качестве усилителя сигналов низкой частоты.
Схема электрическая принципиальная:
Смотрите на следующей странице (рисунок 1.
Рисунок A : Схема электрическая принципиальная
Технические требования:
Микросхема должна соответствовать общим техническим требованиям и удовлетворять следующим условиям:
– повышенная предельная температура +85(С;
– интервал рабочих температур -20(С+80(С;
– время работы 8000 часов;
– вибрация с частотой до 100 Гц, минимальное ускорение 4G;
– линейное ускорение до 15G.
Исходные данные для проектирования:
1. Технологический процесс разработать для серийного производства с объемом выпуска - 18000 штук.
2. Конструкцию ГИС выполнить в соответствии с принципиальной электрической схемой с применением тонкопленочной технологии в одном корпусе.
3. Значения параметров:
Позиционное обозначение:
Наименование:
Количество:
Примечание:
R1,R3,R5
резистор 4КОм(10%
3
Р=3,4мВт
R2
резистор 1,8КОм(10%
1
Р2=5,8мВт
R4
резистор 1,7КОм(10%
1
Р4=2,2мВт
R6
резистор 5,7ком(10%
1
Р6=2,6мВт
VT1,VT4
транзистор КТ318В
2
Р=8мВт
VT2
транзистор КТ369А
1
Р=14мВт
VT3
транзистор КТ354Б
1
Р=7мВт
Напряжение источника питания: 6,3 В(10%.
Сопротивление нагрузки не менее: 20 КОм.
1. Анализ технического задания.
Гибридные ИМС (ГИС- это интегральные схемы, в которых применяются пленочные пассивные элементы и

• подписаться на рассылку. • добавить в избранное. • нашли ошибки ?

Это место