Применение гетеропереходов в оптоэлектронике (Write)

---

запомнить в избранное   искать в этом разделе

---

ВНИМАНИЕ !!! Это сокращенная версия файла. Предназначена она только для того, чтобы вы могли предварительно ознакомиться с документом, перед тем как его скачать. Здесь нет картинок, не сохранен формат, шрифт, размеры и положение на странице.
Чтобы скачать полную версию, нажмите ссылки которые находятся чуть-чуть ниже (Info File Mail)

---

Info File Mail

Файл относится к разделу:
РАДИОЭЛЕКТРОHИКА, КОМПЬЮТЕРЫ И ПЕРИФЕРИЙHЫЕ УСТРОЙСТВА

---

Нижегородский Государственный Технический Университет
Реферат по курсу
"Электронные твердотельные приборы"
тема: "Применение гетеропереходов в оптоэлектронике"
Выполнили студенты группы 94-ФОС
Куликов А.В.
Макаров Д.М.
Проверил преподаватель:
Штернов A.A.
1996 г.
Содержание.
Введение.
Гетеропереход. Физические основы.
Применение гетеропереходов.
Излучатели.
Инжекционный лазер.
Светоизлучательный диод.
Исскуственные квантовые
ящики.
Приемники.
Фотодиод.
Фототранзистор.
Заключение.
Введение.
Оптоэлектроника - это раздел электроники, связанный главным образом с изучением эффектов взаимодействия между электромагнитными волнами оптического диапазона и электронами вещества (преимущественно твердых тел) и охватывающий проблемы создания оптоэлектронных приборов (в основном методами микроэлектронной технологии), в которых эти эффекты используются для генерации, передачи, хранения и отображения информации.
Техническую основу оптоэлектроники определяют конструктивно- технологические концепции современной электроники: миниатюризация элементов; предпочтительное развитие твердотельных плоскостных конструкций; интеграция элементов и функций; ориентация на специальные сверхчистые материалы; применение методов групповой обработки изделий, таких как эпитаксия, фотолитография, нанесение тонких пленок, диффузия , ионная имплантация, плазмохимия и др.
Исключительно важны и перспективны для оптоэлектроники гетероструктуры, в которых контактируют (внутри единого монокристалла) полупроводники с различными значениями ширины запрещеной зоны.
Гетеропереход. Физические основы.
Если n- и p-область перехода изготовлены из различных полупроводников, то такой переход называется гетеропереходом. Отличие
от обычного перехода более тонко в том случае, когда полупроводники взаиморастворимы, а переход плавный. Переходы последнего типа иногда называют "квазигомопереходами". Таким образом, плавные переходы между n-ZnSe и p-ZnTe или между p-GaAs и n-GaР являютcя квазигомопереход

• подписаться на рассылку. • добавить в избранное. • нашли ошибки ?

Это место