Вычислительные машины и системы, 2 семестр (Lexicon) [Лекция]

---

запомнить в избранное   искать в этом разделе

---

ВНИМАНИЕ !!! Это сокращенная версия файла. Предназначена она только для того, чтобы вы могли предварительно ознакомиться с документом, перед тем как его скачать. Здесь нет картинок, не сохранен формат, шрифт, размеры и положение на странице.
Чтобы скачать полную версию, нажмите ссылки которые находятся чуть-чуть ниже (Info File Mail)

---

Info File Mail

Файл относится к разделу:
РАДИОЭЛЕКТРОHИКА, КОМПЬЮТЕРЫ И ПЕРИФЕРИЙHЫЕ УСТРОЙСТВА

---

ВТОРОЙ СЕМЕСТР
ЛЕКЦИЯ N 2-3
2СТРУКТУРЫ АДРЕСНЫХ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
Тип используемых запоминающих элементов определенным образом
влияет на структуру памяти, в результате чего существует большое
разнообразие структур ЗУ.
Совокупность определенным образом соединенных запоминающих
элементов (ЗЭ) образует запоминающую матрицу (массив) ЗМ, где
каждый запоминающий элемент хранит бит информации.
Запоминающий элемент должен реализовывать следующие режимы
работы:
1) хранение состояния;
2) выдача сигнала состояния (считывание);
3) запись 0 или 1.
К запоминающим элементам должны поступать управляющие сигналы для задания режима работы, а также информационный сигнал при
записи. При считывании запоминающий элемент должен выдавать
сигнал о своем состоянии.
Запоминающий массив имеет систему адресных и разрядных линий
(проводников. Адресные линии используются для выделения по
адресу совокупности запоминающих элементов, которым устанавливается режим считывания или записи. Выделение отдельных разрядов
осуществляется разрядными линиями, по которым передается записываемая или считываемая информация.
Запоминающие устройства строятся из специальных запоминающих
элементов, для которых характерно использование троичных сигналов
и совмещение линий входных и выходных сигналов.
Адресные и разрядные линии носят общее название линий выборки. В зависимости от числа таких линий, соединенных с одним запоминающим элементом различают двух-, трехкоординатные ЗУ и т.д.,
называемые соответственно 2D, 3D и т.д.
Запоминающие устройства типа 2D
Организация ЗУ типа 2D обеспечивает двухкоординатную выборку
каждого запоминающего элемента. Основу ЗУ составляет плоская матрица из запоминающих элементов, сгруппированых в 2 5k 0 ячеек по n
разрядов. Обращение к ячейке задается k-разрядным адресом, выделение разрядов производится разрядными линиями записи и считывания.
.
- 2 -
ШИВых
^
-¦-¬
¦0 n-1¦
¦ УсСч ¦
L-T-T-T-
0 5¦ 0 . j 5¦ 0 . n-1 5¦
5+ 0 5+ 0 5+
5-¬ ¦ 0 5-¬ ¦ 0 5-¬ ¦
5¦ 0ЗЭ 5¦ 0

• подписаться на рассылку. • добавить в избранное. • нашли ошибки ?

Это место